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Hoodisk 3D TLC NAND FLASH SSD 狂热来袭

来源:时间:2017-03-22浏览:8514


现如今,闪存及SSD硬盘转向3D NAND技术已成未来发展趋势,3D NAND技术必然会揭起闪存技术的更新换代。

 

Hoodisk 早在去年年底就完成了3D NAND SSD的样品检测,如今我们的3D TLC NAND FlashSSD已量产上市出售,但很多客户还是有许多疑问:什么是3D NAND? 我如何分辨我拿到手的产品是否属于3D NAND SSD? 3D NAND SSD有什么特点和优势?

 

接下来让小编为大家解决疑问:

 

什么是3D NAND?

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈,这只是其中的一种,还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。


                                                        3D NAND2D NAND区别



简单来说,3D NAND技术就是像建房子一样,理论上可以无限向上堆叠,突破以往技术限制,2D NAND只能建

大平层,建筑面积显而易见。而现在,只要技术上可行,就可以无限往上搭建,楼层多了,可用面积自然就多

了,这也就是3D NAND技术.


                                          从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦


客户如何分辨我拿到手的产品是否属于3D NAND SSD?3D NAND是FLASH颗粒封装的一种技术,首先可以肯

定的是从肉眼看产品外观来说是无法进行分辨的,但是HOODISK的3D NAND SSD都有在标签上做区别,凡是

S/N编码含C8字样即是3D NAND SSD,如下图所示:





3D NAND SSD有什么特点和优势?

在回答3D NAND闪存有什么优势的时候,我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、

MLC和TLC类型之分,为了进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工艺也在不断进步,从早期的50nm一路

狂奔到目前的15/16nm,但NAND闪存跟处理器不一样,先进工艺虽然带来了更大的容量,但NAND闪存的制程

工艺是双刃剑,容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,

可靠性也越差,厂商就需要采取额外的手段来弥补,但这又会提高成本,以致于达到某个点之后制程工艺已经

无法带来优势了。

 

相比之下,3D NAND解决问题的思路就不一样了,为了提高NAND的容量、降低成本,厂商不需要费劲心思去

提高制程工艺了,转而堆叠更多的层数就可以了,这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证

了。

 



3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路,主流工艺是15/16nm,但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了,而3D NAND闪存还会继续走下去,目前HOODISK提供的3D NAND闪存产品堆栈层数为48层,我们的技术团队还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。


Hoodisk 3D NAND闪存及特色?

早在2016年,FLASH各大原厂就已经开始纷纷加大对3D NAND FLASH的投入,2017年3D TLC 产能将全面开出并成为主流

SSD不同于U盘等传统的存储产品,承载了用户的核心数据,对品质稳定性具有较高的要求。群联新推出支持3D TLC的UFS 2.1闪存控制芯片PS8311,完美匹配东芝3D TLC NAND FLASH,正是目前HOODISK 3D TLC NAND FLASH SSD的主流方案, 主要优势为:PS8311 透过独有的Strong ECC 错误修正技术、CoXProcessor架构、加上自行研发的M-PHY、UniPro、 UFS 物理层硅智财,在先进封装制程之下,可以提供客户多种行动内存解决方案,包括UFS记忆卡、嵌入式UFS、搭载DRAM的uMCP等。

 

富迪微依托群联主控的雄厚技术,和东芝稳定可靠的FLASH品质,一直致力于为客户提供最新技术的产品更具竞争力的产品和服务。









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